Silicon electrode plate having excellent durability for plasma etching

耐久性的等离子体蚀刻用硅电极板

Abstract

本发明提供了一种耐久性的等离子体蚀刻用硅电极板,它是由按原子比含有3-11ppba的硼、还含有总量为0.5-6ppba的磷和砷中的一种或两种的硅单晶制成的。

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    CN-103282555-ASeptember 04, 2013硅电子股份公司硅单晶制造方法、硅单晶和晶片
    CN-103282555-BAugust 17, 2016硅电子股份公司硅单晶制造方法、硅单晶和晶片