Method for forming a plurality of contact windows with varied depths

形成多个不同深度接触窗的方法

Abstract

在蚀刻步骤中,形成多个不同深度接触窗的方法。该半导体晶片包含一介电层,其下包含有一硅衬底、一氮化硅层以及一氮氧化硅层,此方法包含下列步骤:首先限定一光刻胶层在介电层上,此氮氧化硅层下方具有一第一导电层,此氮化硅层下方具有一第二导电层。接着蚀刻此氮氧化硅层、氮化硅层以及位于此氮氧化硅层及此氮化硅层上的部分介电层,以在硅衬底、第一导电层以及第二导电层上形成多个不同深度的接触窗。

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle