Semiconductor storage device and its manufacturing method

半导体存储器件及其制造方法

Abstract

本发明的漏极(7)包括:与控制栅极(5)相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域(7a);与侧壁膜(8)相匹配而形成且比低浓度杂质区域(7a)高浓度的深的高浓度杂质区域(7b),由此,利用低浓度杂质区域(7a)来改善短沟道效果并提高编程效率,并且,在高浓度杂质区域(7b)中设置漏极接触孔形成部位(70),以降低漏极(7)中的接触电阻。

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